STY60NM50

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STY60NM50@ST PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
STY60NM50 фото 1 STY60NM50 фото 1
STY60NM50 фото 2 STY60NM50 фото 2
STY60NM50 фото 3 STY60NM50 фото 3
STY60NM50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STY60NM50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
STMicroelectronics
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
60 A
Rds On - Drain-Source Resistance
50 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single
Fall Time
46 ns
Height
20.3 mm
Length
15.9 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Pd - Power Dissipation
560 W
Rise Time
58 ns
Series
N-channel MDmesh
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-On Delay Time
51 ns
Width
5.3 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-01-11 14:32:48
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 458475 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4830 шт.

STY60NM50%40ST