FQPF10N60C
Купить со склада от 197,00 рубвстроенный диод, Qg=44 нК, Crss=18 пф(тип), серия "QFET"
Техническая документация:
Масса товара:
3.2941 грамм
Анализ рынка FQPF10N60C@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
5
от 5
468,00 p
Склад
1-2
32
от 23
215,00 p
Склад
3
42
от 23
215,00 p
Склад
Склад
Склад
1-2
32
от 23
215,00 p
Технические характеристики FQPF10N60C
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
9.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance
730 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Series
FQPF10N60C
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Width
4.7 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Fall Time
77 ns
Pd - Power Dissipation
50 W
Rise Time
69 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
144 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
Part # Aliases
FQPF10N60C_NL
Unit Weight
0.080072 oz
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
424927
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 197.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 153 шт.
FQPF10N60C%40ONS