FQPF10N60C

Купить со склада от 197,00 руб

встроенный диод, Qg=44 нК, Crss=18 пф(тип), серия "QFET"

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Масса товара:
3.2941 грамм
FQPF10N60C

Анализ рынка FQPF10N60C@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
5
от 5
468,00 p
Склад
1-2
32
от 23
215,00 p
Склад
3
42
от 23
215,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
1-2
32
от 23
215,00 p

Технические характеристики FQPF10N60C

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
9.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance
730 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Series
FQPF10N60C
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Width
4.7 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Fall Time
77 ns
Pd - Power Dissipation
50 W
Rise Time
69 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
144 ns
Typical Turn-On Delay Time
23 ns
Part # Aliases
FQPF10N60C_NL
Unit Weight
0.080072 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 424927 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 197.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 153 шт.

FQPF10N60C%40ONS