FDP61N20
Купить со склада от 281,00 рубТранзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 38,5А, 417Вт, TO220, UniFET™
Техническая документация:
Масса товара:
3.4 грамм
Анализ рынка FDP61N20@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
26
1247
от 1000
281,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
34
29
от 10
450,00 p
Технические характеристики FDP61N20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
61 A
Rds On - Drain-Source Resistance
41 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Configuration
Single
Fall Time
170 ns
Forward Transconductance - Min
44.5 S
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Pd - Power Dissipation
417 W
Rise Time
215 ns
Series
FDP61N20
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
125 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Width
4.7 mm
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
422696
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 281.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 1276 шт.
FDP61N20%40ONS