IXFN80N50P

Купить со склада от 1348.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN80N50P@IXYS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN80N50P фото 1 IXFN80N50P фото 1
IXFN80N50P фото 2 IXFN80N50P фото 2
IXFN80N50P фото 3 IXFN80N50P фото 3
IXFN80N50P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN80N50P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
IXYS
Id - Continuous Drain Current
66 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
700 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227-4
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
18 ns
Forward Transconductance - Min
70 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
27 ns
Series
IXFN80N50
Factory Pack Quantity
10
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-01-11 14:33:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 421718 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1348.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 935 шт.

IXFN80N50P%40IXYS