IXKF40N60SCD1

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXKF40N60SCD1@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXKF40N60SCD1 фото 1 IXKF40N60SCD1 фото 1
IXKF40N60SCD1 фото 2 IXKF40N60SCD1 фото 2
IXKF40N60SCD1 фото 3 IXKF40N60SCD1 фото 3
IXKF40N60SCD1
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXKF40N60SCD1
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
41 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3.9 V
Qg - Gate Charge
250 nC
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
Through Hole
Package Case
ISOPLUS-i4-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
50 ns
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Rise Time
18 ns
Series
IXKF40N60
Factory Pack Quantity
24
Tradename
CoolMOS, ISOPLUS i4-PAC
Typical Turn-Off Delay Time
500 ns
обновлено 2017-01-11 14:19:40

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXKF40N60SCD1%40IXYS