NE3514S02

Купить со склада от 37.40 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Renesas Electronics
Техническая документация:
PDF NE3514S02@RENESAS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NE3514S02
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NE3514S02
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
CEL
Product Category
RF JFET Transistors
RoHS
Details
Transistor Type
pHEMT
Technology
GaAs
Gain
10 dB
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
4 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 3 V
Id - Continuous Drain Current
70 mA
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Pd - Power Dissipation
165 mW
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
S0-2
Packaging
Bulk
Brand
CEL
Forward Transconductance - Min
55 mS
Gate-Source Cutoff Voltage
- 0.7 V
NF - Noise Figure
0.75 dB
Operating Frequency
20 GHz
Product
RF JFET
Factory Pack Quantity
1
Type
GaAs pHEMT
обновлено 2017-01-11 14:32:47
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 419780 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 37.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 3057 шт.

NE3514S02%40RENESAS