STW4N150

Купить со склада от 120.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STW4N150@ST Model Model PDF даташит
Масса товара:
18 грамм
STW4N150
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STW4N150
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
STMicroelectronics
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Id - Continuous Drain Current
4 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1.5 kV
Rds On - Drain-Source Resistance
7 Ohms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
160 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
45 ns
Forward Transconductance - Min
3.5 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
30 ns
Series
N-channel MDmesh
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time
45 ns
обновлено 2017-01-11 14:33:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 411983 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 120.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 97831 шт.

STW4N150%40ST