IRF3703

Купить со склада от 90.60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3703@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF3703 фото 1 IRF3703 фото 1
IRF3703 фото 2 IRF3703 фото 2
IRF3703 фото 3 IRF3703 фото 3
IRF3703
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3703
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
150 S
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
210 A
Maximum Drain Source Resistance
3.9 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
± 20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
230 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
209 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
8250 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
18 ns
Typical TurnOff Delay Time
53 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-01-11 14:31:28
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 410059 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 90.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 18960 шт.

IRF3703%40INFIN