IRF6614
Купить со склада от 180,00 рубТранзистор N-МОП, полевой, 40В 55А DIRectFET ST
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Анализ рынка IRF6614@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
5
4
от 2
180,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
34
1
от 1
963,00 p
Технические характеристики IRF6614
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Single Dual Drain Dual Source
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
40
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
2.25
Maximum Continuous Drain Current - (A)
12.7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
8.3@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
19@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
2560@20V
Typical Output Capacitance - (pF)
370
Maximum Power Dissipation - (mW)
2100
Operating Temperature - (??C)
-40~150
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
7
Supplier Package
Direct-FET ST
Military
No
Automotive
No
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
399012
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 180.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 5 шт.
IRF6614%40INFIN