FDB8832

Купить со склада от 102.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FDB8832@ONS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FDB8832 фото 1 FDB8832 фото 1
FDB8832 фото 2 FDB8832 фото 2
FDB8832 фото 3 FDB8832 фото 3
FDB8832
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FDB8832
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
TMOS
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
30
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
80
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
1.9@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
204@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
204
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
11400@15V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
D2PAK
Package Family Name
TO-263
Standard Package Name
TO-263
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
Yes
обновлено 2017-01-11 14:30:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 396103 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 102.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 33754 шт.

FDB8832%40ONS