IXBH5N160G

Купить со склада от 589.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXBH5N160G@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXBH5N160G фото 1 IXBH5N160G фото 1
IXBH5N160G фото 2 IXBH5N160G фото 2
IXBH5N160G фото 3 IXBH5N160G фото 3
IXBH5N160G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXBH5N160G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.6 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.9 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
5.7 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Power Dissipation
68 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current Ic Max
6 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
IXBH5N160
Factory Pack Quantity
30
Tradename
BIMOSFET
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-01-11 14:00:10
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 379176 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 589.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 38 шт.

IXBH5N160G%40IXYS