IRGB4064D

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast Trench IGBT

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRGB4064D

Анализ рынка IRGB4064D@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRGB4064D

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Package Case
TO-220AB-3
Mounting Style
Through Hole
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.91 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
20 A
Pd - Power Dissipation
101 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Tube
Brand
Infineon IR
Height
16.51 mm
Length
10.67 mm
Factory Pack Quantity
50
Width
4.83 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 24-03-2024
IRGB4064D%40INFIN