HGT1N30N60A4D

Купить со склада от 1800.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGT1N30N60A4D@ONS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
HGT1N30N60A4D фото 1 HGT1N30N60A4D фото 1
HGT1N30N60A4D фото 2 HGT1N30N60A4D фото 2
HGT1N30N60A4D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGT1N30N60A4D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Channel Type
N
Configuration
Single Dual Emitter
Maximum Collector Emitter Voltage - (V)
600
Maximum Gate Emitter Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Collector Current - (A)
96
Maximum Power Dissipation - (mW)
255000
Typical Collector Emitter Saturation Voltage - (V)
1.8
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Packaging
Rail
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-227
Package Family Name
SOT-227
Standard Package Name
SOT-227
Life Cycle
Obsolete
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-01-11 13:54:31
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 327735 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1800.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1882 шт.

HGT1N30N60A4D%40ONS