APT15GT60BRDQ1G

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi

Worldwide (495)649-84-45 Microchip Technology www.microchip.com

🌏

Сайт
Microchip Technology

Техническая документация:

APT15GT60BRDQ1G

Анализ рынка APT15GT60BRDQ1G@MICROCHIP - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики APT15GT60BRDQ1G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Standard Package

Transistors - IGBTs - Single

Manufacturer

Microsemi Corporation

Series

Thunderbolt IGBTВ®

Packaging

Tube

Part Status

Active

IGBT Type

NPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V

Current - Collector (Ic) (Max)

42A

Current - Collector Pulsed (Icm)

45A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Power - Max

184W

Switching Energy

150ВµJ (on), 215ВµJ (off)

Input Type

Standard

Gate Charge

75nC

Td (onoff) @ 25В°C

6ns105ns

Test Condition

400V, 15A, 10 Ohm, 15V

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package Case

TO-247-3

Supplier Device Package

TO-247 [B]

обновлено 19-04-2024

APT15GT60BRDQ1G%40MICROCHIP