IPP80N08S2L-07

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 300Вт, PG-TO220-3

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
IPP80N08S2L-07

Анализ рынка IPP80N08S2L-07@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IPP80N08S2L-07

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Id - Continuous Drain Current
80 A
Rds On - Drain-Source Resistance
5.1 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qg - Gate Charge
233 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
OptiMOS
Brand
Infineon Technologies
Configuration
1 N-Channel
Fall Time
22 ns
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
55 ns
Series
OptiMOS
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
19 ns
Width
4.4 mm
Part # Aliases
IPP80N08S2L07AKSA1 IPP80N08S2L07XK SP000219050
обновлено 24-03-2024
IPP80N08S2L-07%40INFIN