FZ600R12KE3

Купить со склада от 10950.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF FZ600R12KE3@INFIN Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FZ600R12KE3 фото 1 FZ600R12KE3 фото 1
FZ600R12KE3 фото 2 FZ600R12KE3 фото 2
FZ600R12KE3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FZ600R12KE3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
IGBT Modules
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C
900 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
2800 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Package Case
62 mm
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
500
обновлено 2017-01-11 14:29:11
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311166 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 10950.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 22 шт.

FZ600R12KE3%40INFIN