FP50R12KE3

Купить со склада от 10829.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF FP50R12KE3@INFIN Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FP50R12KE3 фото 1 FP50R12KE3 фото 1
FP50R12KE3 фото 2 FP50R12KE3 фото 2
FP50R12KE3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FP50R12KE3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
IGBT Modules
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
270 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Package Case
EconoPIM3
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Factory Pack Quantity
500
обновлено 2017-01-11 13:48:57
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 311154 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 10829.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 8 шт.

FP50R12KE3%40INFIN