BSM75GB120DN2

Купить со склада от 10072.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 NONAME/Неизвестный
Техническая документация:
PDF BSM75GB120DN2@NONAME PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
BSM75GB120DN2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM75GB120DN2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
IGBT Modules
RoHS
No
Configuration
Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C
75 A
Gate-Emitter Leakage Current
320 nA
Power Dissipation
625 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
IS4 ( 34mm )
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Mounting Style
Screw
обновлено 2017-01-11 13:42:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 310764 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 10072.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1 шт.

BSM75GB120DN2%40NONAME