BSM25GB120DN2

Купить со склада от 4322.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF BSM25GB120DN2@INFIN Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
BSM25GB120DN2
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики BSM25GB120DN2
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
RoHS
Нет
Продукт
IGBT Silicon Modules
Конфигурация
Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
38 A
Ток утечки затвор-эмиттер
180 nA
Рассеяние мощности
200 W
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Упаковка блок
Half Bridge1
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Вид монтажа
Screw
Размер фабричной упаковки
500
обновлено 2017-01-11 13:42:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 310756 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 4322.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 24 шт.

BSM25GB120DN2%40INFIN