BSM10GD120DN2BOSA1

Купить со склада от 28640,00 руб

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.2V; Power Dissipation Pd:80W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:EconoPACK; No. of Pins:17Pins; Operating Temperature Max:125°C; Product Range:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Current Ic Continuous a Max:15A; Current Temperature:80°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Module Configuration:Six; No. of Transistors:6; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Power Dissipation Max:80W; Pulsed Current Icm:30A; Termination Type:Solder; Voltage Vce Sat Typ:2.7V; Voltage Vces:1.2kV

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
228.25 грамм
BSM10GD120DN2BOSA1

Анализ рынка BSM10GD120DN2BOSA1@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
6
от 6
38 565,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 310747 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 28640.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 12 шт.

BSM10GD120DN2BOSA1%40INFIN