IXFK80N50P

Купить со склада от 1082.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFK80N50P@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFK80N50P фото 1 IXFK80N50P фото 1
IXFK80N50P фото 2 IXFK80N50P фото 2
IXFK80N50P фото 3 IXFK80N50P фото 3
IXFK80N50P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFK80N50P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
IXYS
Id - Continuous Drain Current
80 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
1040 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-264-3
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
16 ns
Forward Transconductance - Min
70 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
27 ns
Series
IXFK80N50
Factory Pack Quantity
25
Typical Turn-Off Delay Time
70 ns
Unit Weight
0.352740 oz
обновлено 2017-01-11 14:29:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 301803 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1082.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1572 шт.

IXFK80N50P%40IXYS