HGTP7N60B3D

Купить со склада от 189,00 руб

Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A, 600V, N-Channel, TO-220AB

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
HGTP7N60B3D

Анализ рынка HGTP7N60B3D@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
26
2347
от 1000
234,00 p
Склад
30
2590
от 1000
189,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики HGTP7N60B3D

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Fairchild Semiconductor
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Package Case
TO-220AB
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current Ic Max
14 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 100 nA
Power Dissipation
60 W
Packaging
Tube
Configuration
Single
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300567 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 189.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4937 шт.

HGTP7N60B3D%40ONS