HGTP7N60B3D

Купить со склада от 101.00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HGTP7N60B3D@ONS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
HGTP7N60B3D фото 1 HGTP7N60B3D фото 1
HGTP7N60B3D фото 2 HGTP7N60B3D фото 2
HGTP7N60B3D фото 3 HGTP7N60B3D фото 3
HGTP7N60B3D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HGTP7N60B3D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS
Подробности
Конфигурация
Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
14 A
Ток утечки затвор-эмиттер
+- 100 nA
Рассеяние мощности
60 W
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Упаковка блок
TO-220AB-3
Упаковка
Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
14 A
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Вид монтажа
Through Hole
Размер фабричной упаковки
400
Другие названия товара №
HGTP7N60B3D_NL
обновлено 2017-01-11 14:00:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300567 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 101.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4600 шт.

HGTP7N60B3D%40ONS