FQP13N10

Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 9,05А, 65Вт, TO220, QFET®

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor onsemi.com

🌏

Сайт
ON Semiconductor

Техническая документация:

FQP13N10

Анализ рынка FQP13N10@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики FQP13N10

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Product Category

MOSFET

Manufacturer

ON Semiconductor

RoHS

Details

Technology

Mounting Style

Through Hole

Package Case

TO-220-3

Number of Channels

1 Channel

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Id - Continuous Drain Current

12.8 A

Rds On - Drain-Source Resistance

180 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

25 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Packaging

Tube

Channel Mode

Enhancement

Tradename

QFET

Brand

ON Semiconductor Fairchild

Configuration

Single

Fall Time

25 ns

Forward Transconductance - Min

6.8 S

Height

16.3 mm

Length

10.67 mm

Pd - Power Dissipation

65 W

Rise Time

55 ns

Series

FQP13N10

Factory Pack Quantity

Transistor Type

1 N-Channel

Type

MOSFET

Typical Turn-Off Delay Time

20 ns

Typical Turn-On Delay Time

5 ns

Width

4.7 mm

Part # Aliases

FQP13N10_NL

Unit Weight

0.063493 oz

обновлено 17-04-2024

FQP13N10%40ONS