Товаров: 5 069 782 от 3171
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-20 01:38
FDP3632
Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 310Вт, TO220
Техническая документация:
Анализ рынка FDP3632@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики FDP3632
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
80 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Series
FDP3632
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Width
4.7 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Fall Time
46 ns
Pd - Power Dissipation
310 W
Rise Time
39 ns
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time
96 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
Part # Aliases
FDP3632_NL
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 20-04-2024
FDP3632%40ONS