FDB8441

Купить со склада от 118.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FDB8441@ONS Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
FDB8441 фото 1 FDB8441 фото 1
FDB8441 фото 2 FDB8441 фото 2
FDB8441 фото 3 FDB8441 фото 3
FDB8441
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FDB8441
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
TMOS
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
40
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
80
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
2.5@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
215@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
215
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
15000@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
D2PAK
Package Family Name
TO-263
Standard Package Name
TO-263
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
Yes
обновлено 2017-01-11 14:32:08
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300459 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 118.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 53374 шт.

FDB8441%40ONS