FDB3632

Купить со склада от 86.30 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF FDB3632@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
FDB3632 фото 1 FDB3632 фото 1
FDB3632 фото 2 FDB3632 фото 2
FDB3632 фото 3 FDB3632 фото 3
FDB3632
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики FDB3632
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
TMOS
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
12
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
9@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
84@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
84
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
6000@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
310000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
175
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Supplier Package
D2PAK
Package Family Name
TO-263
Standard Package Name
TO-263
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
Automotive
No
обновлено 2017-01-11 14:35:01
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 300458 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 86.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 74644 шт.

FDB3632%40ONS