IRFB3077
Купить со склада от 159,00 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 75В; 210А; 370Вт; TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3.1563 грамм
Анализ рынка IRFB3077@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
229
от 100
538,00 p
Склад
29
1000
от 1000
535,00 p
Склад
26
1912
от 1000
447,00 p
Склад
28
8816
от 2000
419,00 p
Склад
1-2
2833
от 1000
168,00 p
Склад
1-2
2833
от 1000
168,00 p
Технические характеристики IRFB3077
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 50V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
288037
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 159.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 28750 шт.
IRFB3077%40INFIN