HGTG30N60B3D

Купить со склада от 2145,00 руб

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel

Техническая документация:

📖

Другие
названия этого товара:

HGTG30N60B3D..
HGTG30N60B3D.

Масса товара:

7.07 грамм

HGTG30N60B3D

Анализ рынка HGTG30N60B3D@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Сегодня

от 34

2 725,00 p

Склад

от 3

5 067,00 p

Технические характеристики HGTG30N60B3D

Product Category

IGBT Transistors

Manufacturer

Fairchild Semiconductor

RoHS

Details

Configuration

Single

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+- 20 V

Continuous Collector Current at 25 C

60 A

Gate-Emitter Leakage Current

+- 250 nA

Pd - Power Dissipation

208 W

Mounting Style

Through Hole

Package Case

TO-247-3

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Packaging

Tube

Brand

Fairchild Semiconductor

Continuous Collector Current

60 A

Continuous Collector Current Ic Max

60 A

Height

20.82 mm

Length

15.87 mm

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Series

HGTG30N60B3D

Factory Pack Quantity

Technology

Width

4.82 mm

Part # Aliases

HGTG30N60B3D_NL

обновлено 19-04-2024

Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 282680 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2145.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 71 шт.

HGTG30N60B3D%40ONS