FCA47N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 47A I(D), 600V, 0.07OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
FCA47N60

Анализ рынка FCA47N60@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FCA47N60

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-3PN-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
47 A
Rds On - Drain-Source Resistance
70 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Tradename
SuperFET
Packaging
Tube
Height
20.1 mm
Length
16.2 mm
Series
FCA47N60
Transistor Type
1 N-Channel
Type
N-Channel MOSFET
Width
5 mm
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Forward Transconductance - Min
40 S
Fall Time
75 ns
Pd - Power Dissipation
417 W
Rise Time
210 ns
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time
520 ns
Typical Turn-On Delay Time
185 ns
Unit Weight
0.225789 oz
обновлено 24-03-2024
FCA47N60%40ONS