BC637G

Купить со склада от 12,10 руб

Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 100nA ICBO 625mW 200MHz

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0.2122 грамм
BC637G

Анализ рынка BC637G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
26
2000
от 10000
12,10 p
Склад
26
85109
от 10000
15,10 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
Сегодня
173
от 173
19,20 p

Технические характеристики BC637G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Collector Current (DC) (Max)
1 A
Collector-Base Voltage
60(V)
Collector-Emitter Voltage
60(V)
Emitter-Base Voltage
5(V)
Frequency
200(MHz)
Power Dissipation
0.625(W)
Mounting
Through Hole
Operating Temp Range
-55C to 150C
Package Type
TO-92
Packaging
Box
Pin Count
3
Number of Elements
1
DC Current Gain (Min)
25
Operating Temperature Classification
Military
Category
Bipolar Small Signal
Rad Hardened
No
Transistor Polarity
NPN
DC Current Gain
25
Collector Current (DC)
1(A)
Output Power
Not Required(W)
Configuration
Single
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 282095 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 12.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 87282 шт.

BC637G%40ONS