PD57006-E

Купить со склада от 564.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF PD57006-E@ST Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
PD57006-E фото 1 PD57006-E фото 1
PD57006-E фото 2 PD57006-E фото 2
PD57006-E фото 3 PD57006-E фото 3
PD57006-E
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PD57006-E
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
STMicroelectronics
Product Category
RF MOSFET Transistors
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Transistor Type
MOSFET Power
Id - Continuous Drain Current
1 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
65 V
Transistor Polarity
N-Channel
Frequency
1 GHz
Technology
Si
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
+- 20 V
Gain
15 dB at 945 MHz
Output Power
6 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
PowerSO-10RF (Formed Lead)
Packaging
Tube
Forward Transconductance - Min
0.58 S
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Pd - Power Dissipation
20 W
Product Type
RF MOSFET Power
Series
PD57006-E
Factory Pack Quantity
50
обновлено 2017-01-11 14:34:33
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 271585 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 564.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 4847 шт.

PD57006-E%40ST