MMBTH10LT1G

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MMBTH10LT1G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
MMBTH10LT1G фото 1 MMBTH10LT1G фото 1
MMBTH10LT1G фото 2 MMBTH10LT1G фото 2
MMBTH10LT1G фото 3 MMBTH10LT1G фото 3
MMBTH10LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MMBTH10LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Type
NPN
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Emitter Voltage - (V)
25
Maximum Collector Base Voltage - (V)
30
Maximum Emitter Base Voltage - (V)
3
Maximum Power Dissipation - (mW)
225
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance
556?CW
Minimum DC Current Gain
60@4mA@10V
Minimum DC Current Gain Range
50 to 120
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage - (V)
0.5@0.4mA@4mA
Maximum Transition Frequency - (MHz)
800(Min)
Typical Output Capacitance - (pF)
0.7(Max)
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
SOT-23
Life Cycle
Active
Military Qualified
No
обновлено 2017-01-11 14:33:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 271006 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 12845614 шт.

MMBTH10LT1G%40ONS