MMBT5401LT1G

Купить со склада от 0.88 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MMBT5401LT1G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MMBT5401LT1G фото 1 MMBT5401LT1G фото 1
MMBT5401LT1G фото 2 MMBT5401LT1G фото 2
MMBT5401LT1G фото 3 MMBT5401LT1G фото 3
MMBT5401LT1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MMBT5401LT1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Common Base
Current, Collector
-500 mA
Current, Gain
50
Dimensions
3.04 x 1.40 x 1.01 mm
Frequency, Operating
300 MHz
Height
1.01 mm
Length
3.04 mm
Material
Si
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
SOT-23
Polarity
PNP
Power Dissipation
225 mW
Primary Type
Si
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Transistor Type
PNP
Type
High Voltage
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter
-150 V
Voltage, Collector to Base
-160 V
Voltage, Collector to Emitter
-150 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation
-0.2 V
Voltage, Emitter to Base
-5 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter
-0.1 V
Width
1.4 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 271001 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.88RUB руб. Купить

Доступное количество: 11130173 шт.

MMBT5401LT1G%40ONS