IRLMS2002

Купить со склада от 10.20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRLMS2002 фото 1 IRLMS2002 фото 1
IRLMS2002 фото 2 IRLMS2002 фото 2
IRLMS2002 фото 3 IRLMS2002 фото 3
IRLMS2002
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLMS2002
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
3.00 x 1.75 x 1.15 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
13 S
Height
1.15 mm
Length
3 mm
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Resistance
0.045 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC &&64; 5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1310 pF &&64; 15 V
Typical Turn On Delay Time
8.5 ns
Typical TurnOff Delay Time
36 ns
Width
1.75 mm
обновлено 2017-01-11 13:42:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263342 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 10.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 387128 шт.

IRLMS2002%40INFIN