Товаров: 5 069 782 от 3171
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-20 01:38
IRFI4212H-117P
Купить со склада от 139,00 рубТранзистор: N-MOSFET x2; полевой; HEXFET; 100В; 11А; 18Вт; TO220
Техническая документация:
Масса товара:
3.46 грамм
Анализ рынка IRFI4212H-117P@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
1-2
184
от 100
166,00 p
Склад
22
2412
от 1000
139,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IRFI4212H-117P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220FP-5
Number of Channels
2 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
11 A
Rds On - Drain-Source Resistance
58 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
12 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Half-Bridge
Fall Time
4.3 ns
Height
16.15 mm
Length
10.65 mm
Pd - Power Dissipation
18 W
Rise Time
8.3 ns
Factory Pack Quantity
500
Transistor Type
2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
9.5 ns
Typical Turn-On Delay Time
4.7 ns
Width
4.85 mm
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
263260
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 139.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 2780 шт.
IRFI4212H-117P%40INFIN