IRFD123

Купить со склада от 102,00 руб

Транзистор MOSFET DIP4

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0.52 грамм
IRFD123

Анализ рынка IRFD123@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
10
от 10
458,00 p
Склад
26
6628
от 5000
102,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
28
5769
от 5000
106,00 p

Технические характеристики IRFD123

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263257 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 102.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 12819 шт.

IRFD123%40VISHAY