IRFBE30S

Купить со склада от 274,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,6А; 125Вт; D2PAK

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.381 грамм
IRFBE30S

Анализ рынка IRFBE30S@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
64
от 64
544,00 p
Склад
26
800
от 800
414,00 p
Склад
28
651
от 500
411,00 p
Склад
28
1591
от 1000
379,00 p
Склад
30
400
от 300
367,00 p
Склад
32
72
от 50
274,00 p

Технические характеристики IRFBE30S

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 25-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263255 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 274.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 5173 шт.

IRFBE30S%40VISHAY