IRFB4310

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB4310 фото 1 IRFB4310 фото 1
IRFB4310 фото 2 IRFB4310 фото 2
IRFB4310 фото 3 IRFB4310 фото 3
IRFB4310
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB4310
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
130 A
Dimensions
10.66 x 4.82 x 9.02 mm
Gate Charge, Total
170 nC
Length
10.66 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
300 W
Resistance, Drain to Source On
7 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
68 ns
Time, Turn-On Delay
26 ns
Transconductance, Forward
160 S
Typical Gate Charge @ Vgs
170 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
обновлено 2017-01-11 14:29:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263251 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 5608 шт.

IRFB4310%40INFIN