IRF7910
Купить со склада от 124,00 рубТранзистор N-MOSFET x2, полевой, 12В, 10А, 2Вт, SO8
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка IRF7910@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
34
300
от 100
124,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IRF7910
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1730pF @ 6V
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Base Part Number
IRF7910PBF
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
263239
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 124.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 300 шт.
IRF7910%40INFIN