IRF6218
Купить со склада от 180,00 рубТранзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -150В, -27А, 250Вт, TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
3.0556 грамм
Анализ рынка IRF6218@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
10
от 10
400,00 p
Склад
1-2
305
от 100
191,00 p
Склад
30
5912
от 1000
197,00 p
Склад
Склад
Склад
33
5912
от 1000
228,00 p
Технические характеристики IRF6218
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 150 V
Id - Continuous Drain Current
- 27 A
Rds On - Drain-Source Resistance
150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
21 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Tube
Brand
Infineon IR
Fall Time
30 ns
Height
15.65 mm
Length
10 mm
Pd - Power Dissipation
250 W
Rise Time
70 ns
Factory Pack Quantity
1000
Transistor Type
1 P-Channel
Type
Smps MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
35 ns
Typical Turn-On Delay Time
21 ns
Width
4.4 mm
Unit Weight
0.211644 oz
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
263151
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 180.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 12444 шт.
IRF6218%40INFIN