IRF3710Z

Купить со склада от 29.70 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF3710Z фото 1 IRF3710Z фото 1
IRF3710Z фото 2 IRF3710Z фото 2
IRF3710Z фото 3 IRF3710Z фото 3
IRF3710Z
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3710Z
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
2900 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
59 A
Dimensions
10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Gate Charge, Total
82 nC
Height
9.02 mm
Length
10.67 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
160 W
Resistance, Drain to Source On
18 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
41 ns
Time, Turn-On Delay
17 ns
Transconductance, Forward
35 S
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4.83 mm
обновлено 2017-01-11 14:03:32
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 263147 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 29.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 14682 шт.

IRF3710Z%40INFIN