SIR418DP

N CHANNEL MOSFET, 40V, 40A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:40A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.00415ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.4V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
SIR418DP

Анализ рынка SIR418DP@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики SIR418DP

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
39W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAKВ® SO-8
Package Case
PowerPAKВ® SO-8
обновлено 24-03-2024
SIR418DP%40VISHAY