BD159G

Power Bipolar Transistor, 0.5A, 350V, NPN, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor onsemi.com

🌏

Сайт
ON Semiconductor

Техническая документация:

Аналоги товара:

BD159STU@ONS

BD159G

Анализ рынка BD159G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики BD159G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Manufacturer

ON Semiconductor

Series

Packaging

Bulk

Part Status

Active

Transistor Type

NPN

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

350V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Power - Max

20W

Frequency - Transition

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package Case

TO-225AA, TO-126-3

Supplier Device Package

TO-225AA

Base Part Number

BD159

обновлено 20-04-2024

BD159G%40ONS