STP20NM60

Купить со склада от 256.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STP20NM60@ST Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
STP20NM60 фото 1 STP20NM60 фото 1
STP20NM60 фото 2 STP20NM60 фото 2
STP20NM60 фото 3 STP20NM60 фото 3
STP20NM60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STP20NM60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
STMicroelectronics
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Id - Continuous Drain Current
20 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Rds On - Drain-Source Resistance
290 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
192 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Rise Time
20 ns
Series
N-channel MDmesh
Typical Turn-Off Delay Time
42 ns
Unit Weight
0.050717 oz
обновлено 2017-01-11 14:03:27
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 121670 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 256.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3950 шт.

STP20NM60%40ST