STP11NM60

Купить со склада от 195.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STP11NM60@ST Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
STP11NM60 фото 1 STP11NM60 фото 1
STP11NM60 фото 2 STP11NM60 фото 2
STP11NM60 фото 3 STP11NM60 фото 3
STP11NM60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STP11NM60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
In Transition
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
11 A
Rds On - Drain-Source Resistance
450 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single
Fall Time
11 ns
Forward Transconductance - Min
5.2 S
Height
9.15 mm
Length
10.4 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Pd - Power Dissipation
160 W
Rise Time
20 ns
Series
N-channel MDmesh
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
6 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Width
4.6 mm
Unit Weight
0.079014 oz
обновлено 2017-01-11 14:34:48
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 121659 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 195.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1143 шт.

STP11NM60%40ST