STGE200NB60S

Купить со склада от 1007.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STGE200NB60S@ST Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
STGE200NB60S фото 1 STGE200NB60S фото 1
STGE200NB60S фото 2 STGE200NB60S фото 2
STGE200NB60S фото 3 STGE200NB60S фото 3
STGE200NB60S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STGE200NB60S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
STMicroelectronics
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Configuration
Single Dual Emitter
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
200 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 100 nA
Power Dissipation
600 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
ISOTOP-4
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max
200 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
600-650V IGBTs
Factory Pack Quantity
10
обновлено 2017-01-11 14:34:44
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 121545 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1007.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 7892 шт.

STGE200NB60S%40ST