STE40NC60

Купить со склада от 1405.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF STE40NC60@ST Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
STE40NC60 фото 1 STE40NC60 фото 1
STE40NC60 фото 2 STE40NC60 фото 2
STE40NC60 фото 3 STE40NC60 фото 3
STE40NC60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики STE40NC60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
STMicroelectronics
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Id - Continuous Drain Current
40 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Rds On - Drain-Source Resistance
130 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
460 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
ISOTOP-4
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
26 ns
Forward Transconductance - Min
42 S
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Rise Time
42 ns
Series
N-channel MDmesh
Unit Weight
1 oz
обновлено 2017-01-11 14:29:22
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 121537 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1405.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 600 шт.

STE40NC60%40ST