NE5517DG

Купить со склада от 79.90 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF NE5517DG@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
NE5517DG фото 1 NE5517DG фото 1
NE5517DG фото 2 NE5517DG фото 2
NE5517DG фото 3 NE5517DG фото 3
NE5517DG
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики NE5517DG
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Product Category
Transconductance Amplifiers
RoHS
Details
Amplifier Type
Transconductance
Number of Channels
2 Channel
GBP - Gain Bandwidth Product
2 MHz
SR - Slew Rate
50 Vus
Output Current per Channel
650 uA
Ib - Input Bias Current
5 uA
Vos - Input Offset Voltage
5 mV
Forward Transconductance - Min
5400 uS
Supply Voltage - Max
44 V
Supply Voltage - Min
4 V
Supply Current per Channel
2.6 mA
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Minimum Operating Temperature
0 C
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOIC-16
Packaging
Tube
Brand
ON Semiconductor
CMRR - Common Mode Rejection Ratio
80 dB
Ios - Input Offset Current
0.6 uA
Maximum Input Resistance
26 kOhm
Output Type
Push Pull
Pd - Power Dissipation
1125 mW
Product
Transconductance Amplifiers
Series
NE5517
Shutdown
No Shutdown
Factory Pack Quantity
48
Vcm - Common Mode Voltage
+- 12 V
обновлено 2017-01-11 14:32:34
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 109699 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 79.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 3620 шт.

NE5517DG%40ONS