MTD3055V

MOSFET, N, SMD, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Id Max:12A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
MTD3055V

Анализ рынка MTD3055V@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики MTD3055V

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.9W (Ta), 48W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252-3
Package Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
обновлено 20-04-2024
MTD3055V%40ONS