MJE802

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
PDF MJE802@ST Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
MJE802 фото 1 MJE802 фото 1
MJE802 фото 2 MJE802 фото 2
MJE802 фото 3 MJE802 фото 3
MJE802
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJE802
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Base Current
0.1 A
Configuration
Common Base
Dimensions
7.8 x 2.9 x 11.05 mm
Height
11.05 mm
Length
7.8 mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Cutoff Current
0.1 (Emitter), 0.5 (Base) mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
100
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
Maximum of +150 °C
Package Type
SOT-32
Pin Count
3
Transistor Type
NPN
Width
2.9 mm
обновлено 2017-01-11 13:42:24

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

MJE802%40ST